参数的英文译语怎么说

电阻模型参数:

R电阻倍率因子

TC1线性温度系数

TC2二次温度系数

电容模型参数:

C电容倍率因子

VC1线性电压系数

VC2二次电压系数

TC1线性温度系数

TC2二次温度系数

电感模型参数:

L电感倍率因子

IL1线性电流系数

IL2二次电流系数

TC1线性温度系数

TC2二次温度系数

二极管模型参数:

IS饱和电流

RS寄生串联电阻

N发射系数

TT渡越时间

CJO零偏压PN结电容

VJPN结自建电势

MPN结剃度因子

EG禁带宽度

XT1IS的温度指数

FC正偏耗尽踏莎行候馆梅残赏析 层电容系数

BV反向击穿电压感恩孩子有幸遇到好老师 （漆点电压）

IBV反向击穿电流（漆点电流）

KF闪烁躁声曹操的诗歌风格 系数

AF闪烁躁声指数

双极晶体管（三极管）:

IS传输饱和电流

EG禁带宽度

XTI（PT）IS的温度效应指数

BF正向电流放大系数

NF正向电流发射系数

VAF（VA）正向欧拉电压

IKF（IK）正向漆点电流

ISE（C2）B-E漏饱和电流

NEB-E漏饱和电流

BR反向电流放大系数

NR反向电流发射系数

VAR（VB）正想欧拉电压

IKR反向漆点电流

ISCC4B-C漏饱和电流

NCB-C漏发射系数

RB零偏压基极电阻

IRB基极电阻降致RBM/2时的电流

RE发射区串联电阻

RC集电极电阻

CJE零偏发射结PN结电容

VJEPE发射结内建电势

MJEME集电结剃度因子

CJC零偏衬底结PN结电容

VJCPC集电结内建电势

MJCMC集电结剃度因子

XCJCCbe接至内部Rb的内部

CJSCCS零偏衬底结PN结电容

VJSPS衬底结构PN结电容

MJSMS衬底结剃度因子

FC正偏势垒电容系数

TF正向渡越时间

XTFTF随偏置变化的系数

VTFTF随VBC变化的电压参数

ITF影响TF的大电流参数

PTF在F=1/（2派TF）Hz时超前相移

TR反向渡越时间

XTBBF和BR的温度系数

KFI/F躁声系数

AFI/F躁声指数

Is=14.34f反向饱和电流。

Xti=3饱和电流的温度指数

Eg=1.11硅的带隙能量

Vaf=74.03正向欧拉电压

Bf=255.9正向电流放大系数

Ne=1.307B--E极间的泄漏饱和发射系数

+Ise=14.34fB--E极间的泄漏饱和电流

Ikf=.2847正向BETA大电流时的滑动拐点

Xtb=1.5电流放大系数的温度系数

Br=6.092理想反向电流放大系数

Nc=2B--C间的泄漏发射系数

Isc=0

Ikr=0反向BETA（R）大电流时的滑动拐点

Rc=1集电极电阻

+Cjc=7.306pB-E结零偏压时的耗尽电容。

Mjc=.3416B-C结指数因子

Vjc=.75B-C结内建电势

Fc=.5正向偏压时的耗尽电容系数

Cje=22.01pB-E结零偏压时的耗尽电容

Mje=.377B——E结指数因子

Vje=.75B-E结内建电势

+Tr=46.91n反向渡越时间

Tf=411.1p正向渡越时间

Itf=.6正向渡越时间随VBE变化的参数

Vtf=1.7

Xtf=3Rb=10)正向渡越时间随偏置变化的参数

三极管参数中文字符号英文对照:

Pcm集电极最大耗散功率

Icm集电极最大允许电流

V(br)cbo发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压

V(br)ceo基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压

V(br)ebo集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压

Icbo发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流

Iceo基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流

Iebo集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流

Vce(sat)基极与发射极间的正向饱和压降

Vbe(sat)集电极与发射极间的反向饱和压降

hFE共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数）

Ft特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率）

Cob共基极输出电容

Nf嗓声系数

Fa共基极截止频率

Hre共发射极交流输入开路时的电压反馈系数

Gp共基极时功率增益

Kp共发射极时功率增益

Vf正向降压

Vr反向降压

Typ典型值

Max最大值

Min最小值

If正向电流

Ir反向电流

Toff关闭时间

共发极交流输入开路时的输示

Cc---集电极电容

Ccb---集电极与基极间电容

Cce---发射极接地输出电容

Ci---输入电容

Cib---共基极输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cn---中和电容（外电路参数）

Co---输出电容

Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coe---共发射极输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Cre---共发射极反馈电容

Cic---集电结势垒电容

CL---负载电容（外电路参数）

Cp---并联电容（外电路参数）

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVebo---集电极开路EB结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVcer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

D---占空比

fT---特征频率

fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率

hFE---共发射极静态电流放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

hRE---共发射极静态电压反馈系数

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

IB-古诗春晓全文 --基极直流电流或交流电流的平均值

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反

向截止电流

Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向

截止电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均

值

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

ISB---二次击穿电流

IAGC---正向自动控制电流

Pc---集电极耗散功率

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pi---输入功率

Po---输出功率

Posc---振荡功率

Pn---噪声功率

Ptot---总耗散功率

ESB---二次击穿能量

rbb\'---基区扩展电阻（基区本征电阻）

rbb\'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻

roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

RE---外接发射极电阻（外电路参数）

RB---外接基极电阻（外电路参数）

Rc---外接集电极电阻（外电路参数）

RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）

RL---负载电阻（外电路参数）

RG---信号源内阻

Rth---热阻

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Ts---结温

Tjm---最大允许结温

Tstg---贮存温度

td----延迟时间

tr---上升时间

ts---存贮时间

tf---下降时间

ton---开通时间

toff---关断时间

VCB---集电极-基极（直流）电压

VCE---集电极-发射极（直流）电压

VBE---基极发射极（直流）电压

VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

Vp---穿通电压。

VSB---二次击穿电压

VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）

Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）

VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）

VCE(sat)---发射极接地周小云的幸福生活 ，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）

VAGC---正向自动增益控制电压

Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

Vn---噪声电压

Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功

率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）---正向平均电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光

二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载

电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；

稳压二极管在红袖添香下一句是什么意思 反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整

流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数；电容比

Q---优值（品质因素）

vz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

P感遇二首张九龄 G---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向

电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RL---负载电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth----热阻

R(th)ja----结到环境的热阻

Rz(ru)---动态电阻

R(th)jc---结到壳的热阻

r---衰减电阻

r(th)---瞬态电阻

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

tf---下降时间

tfr---正向恢复时间

tg---电路换向关断时间

tgt---门极控制极开通时间

Tj---结温

Tjm---最高结温

ton---开通时间

toff---关断时间

tr---上升时间

trr---反向恢复时间

ts---存储时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

a---温度系数

p---发光峰值波长

△---光谱半宽度

---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

VF---正向压降（正向直流电压）

△VF---正向压降差

VDRM---断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VF（AV）-黄粱美梦是什么意思 --正向平均电压

Vo---交流输入电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vn---中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）---击穿电压

Vth---阀电压（门限电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

Vv---谷点电压

Vz---稳定电压

△Vz---稳压范围电压增量

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av---电压温度系数

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL---极限电压