snapback是什么意思pback在线翻译读音例

(一)Nwell电阻

在饱和区域电压上升的速度比在线性区域的时候要快，当电场达到了碰撞电离阈

值时，空穴就产生了。空穴电流从可以忽略不计到足够大，并且占据总电流一定

份额时，电压就会下降，负阻或snapback特征就会呈现出来。加在电阻上的电

压大约150kV/cm时就会发生碰撞电离，也就是说2um长的电阻最大承受电压约

为30V。引起snapback的树欲静而风不止的下一句是什么 碰撞电离由NB来决定(即背景或衬底掺杂浓度)，它会

影响引发电阻snapback的电压值。当然snapback也可能是在饱和区域时由载流

子发热引起的。

现在，假设nwell方块电阻RSH=1Kohms/sq(电导率)，通过公式，其中电

子电荷1.602E-19c,室温低杂质单于夜遁逃怎么读拼音 硅电子迁移率约为1350cm^2/sv,空穴迁移率

约为460cm^2/sv，由此得出电子浓度约为4.624E+18/cm^3，该值介于1E+10与

1E+20之间，在逐步增加电压时，会出现饱和状态，并呈现如图1的特征。假设

硅室温下本征载流子浓度约为2E+10/cm^3，我们还可以得出空穴浓度约为

0.865E+2/cm^3。

(二)MOS晶体管

图2是正常控制下的nMOS电流电压曲线，下图则是在ESD条件下的nMOS电流

电压曲线。因为存在寄生bipolar的影响，出现了二次snapback现象。

图4为高电流下(比如ESD条件下)nMOS的剖面图，并且标明了寄生bipolar电

流方向。高电压使得drain-substrate发生雪崩，并形成电子空穴对。电子被

扫向drai中国现代诗歌散文欣赏 ncontact，空穴则进入衬底形成的空穴电流Isub。在电流流过衬底电

阻Rsub时，产生了降压，抬升了VB’点的电位。电位逐渐升高最终会导致

source-substrate结正向偏置。电子从source端注入衬底，被drain端收集，

此时LNPNbipolar形成。其中drain端为collector,source端为emitter，

substrate为base极。Bipolar所起的效果还取决于emitter注入效率和

base的传输因子。LNPN打开时间称为基区渡越时间(basetransittime)，该

值取决于沟道长度。对于沟道长度颇负盛名是什么意思 1umnMOS而言，基区渡越时间约为250ps。

上图为等效电路电流与时间关系，其中人体的等效电容定为100pF，人体的等效

放电电阻定为1.5K。如图V0=10Kv情况，电流上升到最高点的时间约为10ns，

也就是说LNPN可以用0.25ns时间打开，远远小于此情况下电流上升到最高点所

需时间。

(三)SCR结构

上图是PNPN电流电压特性曲线，这样的SCR模型也用于latchup分析。图中

snapback是由于中心结发生正向偏置，双极型从高阻态切换到低阻态，电源经

过低阻态通路直接接地所引起的。

(*注：花了好些时间还是没有得到想要的结果，不过一些基本的概念已经开始清

晰，当然我还会继续阅读相关的资料，并把自己的阶段性的想法分享给大家。)

上图(一)为等效电路，图(二)为ESD条件下的nMOSI-V特征曲线，其中可分

为线性阶段(linearregion)，饱和阶段(saturationregion)，雪崩阶段

(avalancheregion)和钳回阶段(snapbackregion)。从数学的角度来看

snapback曲线即取同一的漏极的电压时会得出至少两个不同的电流值，对于目

前的方程式来讲显然是不对的，所以在不同的阶段应该适用不同的方程式。标准

MOS方程式覆盖了线性区与饱和区，在雪崩区是MOS行为与寄生器件行为重合的

区域标准方程式不才适用，钳回区域寄生器件行为已经占据支配地位。I-V曲线

有几个转折点用来区分不同区域，其中包括Vdsat(s初一到初三所有的古诗词 aturationvoltage),

Vav(avalanchevoltage),Vsp(snapbackvoltage)和Vt2(secondbreakdown

triggervoltage)。Vav>Vsp(Vsp也认为是LNPNholdingvoltage)Vav

与Vsp相距的时间很短，可能<0.5ns。

其中

Igen=(M-1)*Ip=(M-1)*(Ids+Ic);

(1-1/M)=K1*exp[-K2/(Vd-Vdsat)];由Millerformula得到

Igen雪崩引发电流，M雪崩倍增因子，Ip偶发电流。Vg=0v,在bipolar打开

之前Igen=Isub，VdVav时M∞。当bipolar打开之后Ic也作为倍增的一

个电流源，要维持bipolar的打开状态M可以降得很小，所以Vd也会因此变

得很小snapback就发生了，即Vd从Vav降到了Vsp。

Ib=Ioe*[exp(Vbe/Vt)-1];

这里的Vt为热电压约为26mv，Ioe是NPN发射极由空穴扩散引起的反向饱和

电流。

Ic=Ioc*[exp(Vbe/Vt)-exp(Vbc/Vt)];

Ioc是NPN基极由电子扩散引起的反向饱和电流。

Ioc=q*ni^2*Ae*Dn/(Nb*b);

q电子电荷1.602e-19c,ni约为1.45e+10cm^-3,Ae有效发射极面积，Dn=Vt*

n电子有效扩散常数,Nb基极掺杂浓度，b器件沟道长度。

Ioe=q*ni^2*Ae*Dp/(Ne*Lpe);

Dp空穴扩散常数，Ne发射极掺杂浓度，Lpe空穴在发射极扩散长度

通过以上公式进行粗略的计算，表达感谢老师的锦旗 可以发现snapb中秋节的诗句古诗四句 ack是因为空穴电流流进衬底形

成压降，引起寄生NPN的导通，VavVsp的变化，其实说明总电流由MOS电流向

Bipolar电流占主导地位的变化。

以下罗列了一些MOS公式：

MOS线性区电流

Ids=k’*W/L*(Vgs-Vth-Vds/2)*Vds

MOS饱和区电流

Ids=k’/2*W/L*(Vgs-Vth)^2*(1+*Vds)

K’=*Cox=*0ox/tox;0真空介电常数约为8.85E-12F/m,ox绝

缘常数约为3.9(K值)，为电子、空穴迁移率，k’取值约在50-100A/V^2

之间。

为shortchanneleffect约在0.01-0.1。

Vth=Vto+*[(2*f+Vsb)^0.5-(2*f)^0.5];Vto约在0.5-1.0V之间，

为bodyeffect约在0.05-0.5之间，PHI=2*f六月二十七日望湖楼醉书赏析 约0.6，如果Vsb=0基本可以

忽略bodyeffect的影响。

以下是可以阅读的一些参考资料：

[1]“一种ESD保护结构的集总参数模拟方法”邱国良

[2]“On-Chip关于植物的诗歌现代诗 ESDProtectionforIntegratedCircuits”

[3]“ModelingMOSSnapbackandParasiticBipolarActionfor

Circuit-LevelESDandHighCurrentSimulations”AjithAmerasekera

[4]“ModelingMOSSnapbackforcircuit-levelESDsimulationUsingBSIM3

andVBICModels”Yuangzhong(Paul)Zhou

(*注个人推荐ekera的相关论文)